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激光橢偏儀

簡(jiǎn)要描述:激光橢偏儀
多角度SE 400adv PV在632.8nm的氦氖激光波長(zhǎng)下,在紋理化的單晶和多晶硅片上提供防反射單膜的膜厚和折射率。可更換的晶片載片器允許對(duì)多晶晶片和堿性織構(gòu)的單晶晶片進(jìn)行測(cè)量。

  • 產(chǎn)品型號(hào):SE 400adv PV
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷(xiāo)商
  • 更新時(shí)間:2024-07-10
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量:1538

詳細(xì)介紹

品牌其他品牌價(jià)格區(qū)間面議
產(chǎn)地類(lèi)別國(guó)產(chǎn)應(yīng)用領(lǐng)域環(huán)保,化工,電子/電池

激光橢偏儀

防反射涂層的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)

目前國(guó)內(nèi)外已有330多臺(tái)SE 400adv PV激光橢偏儀用于表征防反射膜。

粗糙表面分析

高靈敏度和超低噪聲檢測(cè)允許在非理想,雜散光造成表面的測(cè)量,典型的紋理單晶和多晶硅太陽(yáng)能電池。

高度準(zhǔn)確

SE 400adv PV激光橢偏儀具有穩(wěn)定的激光光源、穩(wěn)定的溫度補(bǔ)償裝置、超低噪聲探測(cè)器,因而具有穩(wěn)定性和精度。


多角度激光橢偏儀SE 400adv PV在632.8nm的氦氖激光波長(zhǎng)下,在紋理化的單晶和多晶硅片上提供防反射單膜的膜厚和折射率。可更換的晶片載片器允許對(duì)多晶晶片和堿性織構(gòu)的單晶晶片進(jìn)行測(cè)量。

激光橢偏儀SE 400adv PV特別適用于分析SiNx、ITO、TiO2薄膜以及SiO2和Al2O3薄膜鈍化層。雙層堆疊膜可以在光滑的基板上進(jìn)行分析。

SE 400adv PV是一種緊湊的儀器,快速上升和運(yùn)行。SENTECH簡(jiǎn)單易用,基于配方的軟件包括符合研發(fā)和生產(chǎn)環(huán)境質(zhì)量控制要求的預(yù)定義應(yīng)用程序的綜合包。

一種用于光伏應(yīng)用的便攜式激光橢偏儀可用于在整個(gè)生產(chǎn)線(xiàn)運(yùn)行之前,建立和測(cè)試大型PECVD設(shè)備。

Laser ellipsometer SE 400adv PV with different table optionsSE 400adv PV laser ellipsometer setManual goniometer from 40° to 90°, set in steps of 5°Laser ellipsometer SE 400adv PV with portability option




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